Акции тайваньского производителя памяти Nanya Technology подорожали на 10 % после того, как в среду компания в частном порядке продала свои акции на сумму $2,5 млрд компаниям SanDisk, Solidigm (SK hynix), Cisco и Kioxia для расширения производства передовых чипов, сообщает Reuters.

Новый раунд финансирования был организован на фоне желания компании и её клиентов нарастить производственные мощности, поскольку покупателям очень нужен доступ к передовым чипам на фоне глобального дефицита, вызванного бумом ИИ. При этом пострадал не только рынок ИИ-решений, но и другие отрасли, требующие электронных компонентов, включая производство смартфонов, компьютеров и автомобилей. Быстрое развитие ИИ-инфраструктуры требует гигантских объёмов DRAM, NAND и HDD.

В компании подчеркнули, что привлечённые средства будут потрачены на инвестиции в производственные мощности для выпуска передовой памяти. Ключевым инвестором является компания SanDisk, в среду заявившая о намерении купить приблизительно 139 млн акций. По данным The Wall Street Journal, это около 3,9 % с учётом всех «разводнений». Всего компания вложила в покупку около NT$31 млрд ($969,69 млн), остальные компании — по NT$16 млрд.

Источник изображения: Nanya

Помимо инвестиций в ценные бумаги, SanDisk заключила с Nanya и многолетнее стратегическое соглашение, в рамках которого тайваньский производитель будет поставлять американской компании DRAM-модули памяти. Также долгосрочное соглашение о поставке DRAM заключила и Kioxia, сославшись на рост бизнеса, связанного с ростом спроса ИИ-проектов на SSD и необходимость обеспечить себе стабильные поставки DRAM-модулей, играющих в твердотельных накопителях вспомогательное значение.

Раунд финансирования состоялся вскоре после объявления SK Hynix, в среду заявившей о намерении выйти на IPO в США позже в 2026 году. Компания потенциально поможет привлечь $14 млрд. В марте Sandisk порекомендовала клиентам заключать долгосрочные контракты с предсказуемыми поставками памяти и, похоже, сама следует своим рекомендациям в делах с поставщиками.

Компания SK hynix, по сообщению ресурса Blocks & Files, разработала концепцию гибридной памяти, объединяющей на одном интерпозере HBM (High Bandwidth Memory) и флеш-чипы с высокой пропускной способностью HBF (High Bandwidth Flash). Предполагается, что такое решение будет подключаться к GPU для повышения скорости ИИ-инференса.

Современные ИИ-ускорители на основе GPU оснащаются высокопроизводительной памятью HBM. Однако существуют ограничения по её ёмкости, из-за чего операции инференса замедляются, поскольку доступ к данным приходится осуществлять с использованием более медленных SSD. Решить проблему SK hynix предлагает путём применения гибридной конструкции HBM/HBF под названием H³.

Архитектура HBF предусматривает монтаж кристаллов NAND друг над другом поверх логического кристалла. Вся эта связка располагается на интерпозере рядом с контроллером памяти, а также GPU, CPU, TPU или SoC — в зависимости от предназначения конечного изделия. В случае H³ на интерпозере будет дополнительно размещён стек HBM. Отмечается, что время доступа к HBF больше, чем к HBM, но вместе с тем значительно меньше, нежели к традиционным SSD. Таким образом, HBF может служить в качестве быстрого кеша большого объёма.

Источник изображения: SK hynix

По заявлениям SK hynix, стеки HBF могут иметь до 16 раз более высокую ёмкость по сравнению с HBM, обеспечивая при этом сопоставимую пропускную способность. С другой стороны, HBF обладает меньшей износостойкостью при записи, до 4 раз более высоким энергопотреблением и большим временем доступа. HBF выдерживает около 100 тыс. циклов записи, а поэтому лучше всего подходит для рабочих нагрузок с интенсивным чтением. В результате, как утверждается, гибридная конструкция сможет эффективно решать задачи инференса при использовании больших языковых моделей (LLM) с огромным количеством параметров.

В ходе моделирования работы H³, проведенного специалистами SK hynix, рассматривался ускоритель NVIDIA Blackwell B200 с восемью стеками HBM3E и таким же количеством стеков HBF. В пересчете на токены в секунду производительность системы с памятью H³ оказалась в 1,25 раза выше при использовании 1 млн токенов и в 6,14 раза больше при использовании 10 млн токенов по сравнению с решениями, оборудованными только чипами HBM. Более того отмечено 2,69-кратное повышение производительности в расчёте на 1 Вт затрачиваемой энергии по сравнению с конфигурациями без HBF. К тому же связка HBM и HBF может обрабатывать в 18,8 раз больше одновременных запросов, чем только HBM.

Южнокорейская компания SK hynix объявила о создании в США новой компании, специализирующейся на решениях в сфере ИИ с предварительным названием AI Company (AI Co.). Новая компания будет сформирована путём реструктуризации Solidigm (SK hynix NAND Product Solutions Corp.), калифорнийской «дочки» SK hynix по производству SSD корпоративного класса, образованной в 2021 году в результате покупки NAND-бизнеса Intel за $9 млрд. При этом её бизнес-операции будут переданы новой дочерней компании, которая будет называться Solidigm Inc., «для обеспечения преемственности бренда».

Новая структура призвана укрепить конкурентоспособность SK hynix в области технологий памяти для ИИ-платформ, включая высокоскоростную память (HBM). Компания заявила, что эта инициатива знаменует собой переход от традиционной роли производителя памяти к роли ключевого партнёра в решениях для ИИ ЦОД. Полученные в этой роли возможности будут объединены для создания синергии с дочерними компаниями и филиалами SK Group.

SK hynix отметила, что благодаря своему бизнесу по производству SSD корпоративного класса, Solidigm уже является ключевым игроком в экосистеме ИИ ЦОД. Включение Solidigm в состав AI Company направлено на поиск возможностей для сотрудничества и развития бизнеса, которые могут создать синергию с различными направлениями бизнеса в ИИ-индустрии.

Источник изображений: SK hynix

Официальное название AI Company будет объявлено в феврале. Сначала будет сформирована временная управленческая команда и совет директоров, после чего запланирован переход к постоянной управленческой группе, состоящей из местных экспертов с глубокими знаниями рынка США. Для обеспечения первоначального финансирования SK hynix инвестирует в AI Company $10 млрд. Причём эта сумма будет структурирована как резерв на привлечение капитала, в рамках которого средства будут использоваться по запросу AI Co. для финансирования инвестиций.

SK hynix планирует осуществлять через AI Co. стратегические инвестиции в ИИ-компании и расширять сотрудничество с американскими новаторами в сфере ИИ. SK hynix стремится укрепить своё лидерство в области производства памяти, одновременно развивая возможности решений по всей цепочке создания стоимости в ИИ ЦОД, поскольку растёт спрос на оптимизацию на системном уровне для решения проблем с узкими местами в передаче данных, отметил ресурс Korea IT Times. Первоначально SK hynix планирует сосредоточиться на ПО для оптимизации ИИ-систем, а затем постепенно расширять инвестиции в экосистему ИИ ЦОД.

Недавно сообщалось о том, что SK hynix на три месяца ускорила график запуск завода по производству микросхем в южнокорейском Йонъине (Yongin), поскольку компания вкладывает большие деньги в освоение ИИ-волны. На поставках для ЦОД можно заработать ещё больше, поскольку, по крайней мере в краткосрочной перспективе, это создало дефицит памяти в потребительском секторе, отметил ресурс Hothardware. Также в этом месяце стало известно, что SK hynix инвестирует ₩19 трлн ($12,9 млрд) в строительство нового завода по упаковке и тестированию чипов для ИИ-технологий в Чхонджу (Cheongju).

Планы по созданию нового предприятия в США также соответствуют политике США, стимулирующей размещение производства в стране с помощью регулирования пошлин на поставки извне. SK hynix уже строит в Индиане научно-исследовательский центр по производству современных микросхем и их упаковке стоимостью $3,87 млрд, о котором было объявлено ещё в 2024 году. Завод будет производить HBM для ИИ-ускорителей, начало его работы запланировано на 2028 год, пишет ресурс CNBC.

Компании SK hynix и NVIDIA, по сообщениям сетевых источников, занимаются совместной разработкой сверхбыстрых SSD, которые, как ожидается, помогут устранить узкие места современных ИИ-платформ. Проект получил название Storage Next: он предполагает создание чипов флеш-памяти NAND и сопутствующих контроллеров следующего поколения.

По информации ресурса ZDNet, первые прототипы изделий партнёры намерены представить к концу следующего года. Речь идёт о накопителях с интерфейсом PCIe 6.0, которые смогут демонстрировать показатель IOPS (операций ввода/вывода в секунду) на уровне 25 млн. Более того, в 2027-м, как ожидается, будет выпущено устройство с величиной IOPS до 100 млн. Для сравнения, современные высокопроизводительные SSD корпоративного класса имеют значение IOPS на уровне 2–3 млн.

Источник изображения: SK hynix

В основу накопителей Storage Next лягут наработки SK hynix в области памяти AI-N (AI-NAND), оптимизированной для ИИ. В частности, упоминаются решения AI-N P: предполагается, что такие устройства будут выполнены в форм-факторе EDSFF E3.x. Они получат контроллер, предназначенный для выполнения как обычных рабочих нагрузок, так и с высоким показателем IOPS.

По мере того, как ИИ-платформы переходят от обучения к инференсу, возможностей памяти HBM с высокой пропускной способностью оказывается недостаточно: наблюдается разрыв между объёмом и производительностью HBM и вычислительными возможностями ИИ-ускорителей на базе GPU. Цель проекта Storage Next состоит в том, чтобы решить эту проблему путём использования инноваций в области NAND. По сравнению с современными SSD накопители Storage Next смогут демонстрировать увеличение показателя IOPS в 30–50 раз. Кроме того, SK hynix разрабатывает память AI DRAM (AI-D) для ИИ-платформ: эти изделия, как предполагается, помогут справиться с нехваткой памяти.

Компания SK hynix, по сообщению ресурса Blocks & Files, проектирует память нового типа AI DRAM (AI-D) для высокопроизводительных ИИ-платформ. Изделия нового типа будут предлагаться в трёх модификациях — AI-D O (Optimization), AI-D B (Breakthrough) и AI-D E (Expansion), что, как ожидается, позволит устранить узкие места современных систем.

SK hynix является одним из лидеров рынка памяти HBM (Hgh Bandwidth Memory) для ИИ-ускорителей. Однако достижения в данной сфере отстают от развития GPU, из-за чего возникает препятствие в виде «стены памяти»: наблюдается разрыв между объёмом и производительностью HBM и вычислительными возможностями ускорителей. Проще говоря, GPU простаивают в ожидании данных.

Одним из способов решения проблемы является создание кастомизированных чипов HBM, предназначенных для удовлетворения конкретных потребностей клиентов. Вторым вариантом SK hynix считает выпуск специализированной памяти AI-D, спроектированной для различных ИИ-нагрузок.

Источник изображений: SK hynix

В частности, вариант AI-D O предполагает разработку энергосберегающей высокопроизводительной DRAM, которая позволит снизить общую стоимость владения ИИ-платформ. Для таких изделий предусмотрено применение технологий MRDIMM, SOCAMM2 и LPDDR5R.

Продукты семейства AI-D B помогут решить проблему нехватки памяти. Такие изделия будут отличаться «сверхвысокой ёмкостью с возможностью гибкого распределения». Упомянуты технологии CMM (Compute eXpress Link Memory Module) и PIM (Processing-In-Memory). Это означает интеграцию вычислительных возможностей непосредственно в память, что позволит устранить узкие места в перемещении данных и повысить общее быстродействие ИИ-систем.

Ёмкость AI-D B составит до 2 Тбайт — в виде массива из 16 модулей SOCAMM2 на 128 Гбайт каждый. Причём память отдельных ускорителей сможет объединяться в общее адресное пространство объёмом до 16 Пбайт. Любой GPU сможет заимствовать свободную память из этого пула для расширения собственных возможностей по мере роста нагрузки.

Наконец, архитектура AI-D E подразумевает использование памяти, включая HBM, за пределами дата-центров. SK hynix планирует применять DRAM в таких областях, как робототехника, мобильные устройства и платформы промышленной автоматизации.

Компания SK hynix представила стратегию развития решений хранения на базе NAND нового поколения. SK hynix заявила, что в связи с быстрым ростом рынка ИИ-инференса спрос на хранилища на базе NAND, способных быстро и эффективно обрабатывать большие объёмы данных, стремительно растёт. Для удовлетворения этого спроса компания разрабатывает серию решений AIN (AI-NAND), оптимизированных для ИИ. Семейство будет включать решения AIN P, AIN B и AIN D, оптимизированные по производительности, пропускной способности и плотности соответственно.

Источник изображений: SK hynix

AIN P (Performance) — это решение для эффективной обработки больших объёмов данных, генерируемых в рамках масштабных рабочих нагрузок ИИ-инференса. Продукт значительно повышает скорость обработки и энергоэффективность, минимизируя узкие места между хранилищем и ИИ-операциями. SK hynix разрабатывает NAND-память и контроллеры с новыми возможностями и планирует выпустить образцы к концу 2026 года.

Как пишет Blocks & Files, накопитель AIN P, как ожидается, получит поддержку PCIe 6.0 и обеспечит 50 млн IOPS на 512-байт блоках, тогда как сейчас производительность случайного чтения и записи с 4-Кбайт блоками составляет порядка 7 млн IOPS у накопителей PCIe 6.0. То есть AIN P будет в семь раз быстрее, чем нынешние корпоративные PCIe 6.0 SSD, и, по заявлению SK hynix, достичь 100 млн IOPS можно будет уже в 2027 году. Такой SSD будет выполнен в форм-факторе EDSFF E3.x и оснащён контроллером, предназначенным для выполнения как обычных рабочих нагрузок, так и с высоким показателем IOPS.

AIN D (Density) — это высокоплотное решение Nearline (NL) SSD для хранения больших объёмов данных с низкими энергопотреблением и стоимостью, подходящее для хранения ИИ-данных. Компания стремится увеличить плотность QLC SSD с Тбайт до Пбайт, создав решение среднего уровня, сочетающее в себе скорость SSD и экономичность HDD. AIN D от SK hynix как раз предназначен для замены жёстких дисков. Компания также упоминает некий стандарт JEDEC-NLF (Near Line Flash?), который пока не существует. При этом SK hynix пока не упоминает PLC NAND и не приводит данные о ёмкости AIN D.

AIN B (Bandwidth) — это HBF-память с увеличенной за счёт вертикального размещения нескольких модулей NAND пропускной способностью. Ключевым в данном случае является сочетание структуры стекирования HBM с высокой плотностью и экономичностью флеш-памяти NAND. AIN B предложит большую ёмкость, чем HBM, примерно на уровне ёмкости SSD. AIN B может увеличить эффективную ёмкость памяти GPU и, таким образом, устранить необходимость покупки/аренды дополнительных GPU для увеличения ёмкости HBM, например, для хранения содержимого KV-кеша.

Компания рассматривает различные стратегии развития AIN B, например, совместное использование с HBM для повышения общей ёмкости системы, поскольку стек HBF может быть совмещён со стеком HBM на одном интерпозере. SK hynix и Sandisk работают над продвижением стандарта HBF. Они провели в рамках 2025 OCP Global Summit мероприятие HBF Night, посвящённое этому вопросу. Рании компании подписали меморандум о стандартизации HBF в целях расширения технологической экосистемы.

«Благодаря OCP Global Summit и HBF Night мы смогли продемонстрировать настоящее и будущее SK hynix как глобального поставщика решений памяти, процветающего на быстро развивающемся ИИ-рынке», — заявила SK hynix, добавив, что на рынке устройств хранения данных на базе NAND следующего поколения SK hynix будет тесно сотрудничать с клиентами и партнёрами, чтобы стать ключевым игроком.

Компания SK hynix в ходе мероприятия Dell Technologies Forum 2025 в Сеуле (Южная Корея) продемонстрировала свои новейшие SSD, оптимизированные для высокопроизводительных серверов и дата-центров для ИИ. В частности, показаны устройства PEB110, PS1010, PS1012 и PS1101.

Источник изображения: SK hynix

Особого внимания заслуживает накопитель PS1101. Это решение, выполненное в форм-факторе E3.L, вмещает 245 Тбайт информации. Новинка ориентирована на крупномасштабные ИИ ЦОД и облачные среды, где критически важны высокая плотность хранения данных и энергоэффективность. В основу SSD положены чипы флеш-памяти QLC NAND, а для подключения служит интерфейс PCIe 5.0 х4. Скоростные показатели и величина IOPS пока не раскрываются.

Источник изображения: SK hynix

Устройству PS1101 предстоит конкурировать с другими SSD аналогичной ёмкости, о подготовке которых уже сообщили некоторые игроки рынка. В частности, Kioxia в июле нынешнего года анонсировала накопитель серии LC9 типоразмера EDSFF E3.L, рассчитанный на хранение 245,76 Тбайт данных. Кроме того, Sandisk представила NVMe SSD UltraQLC SN670 объёмом 256 Тбайт, предназначенный для ИИ-систем и НРС-платформ. А компания Samsung проектирует SSD с интерфейсом PCIe 6.0, вместимость которых будет достигать 512 Тбайт.

Источник изображения: SK hynix

Возвращаясь к новинкам SK hynix, можно выделить изделие PS1012 в форм-факторе U.2, которое вмещает до 61,44 Тбайт данных. Устройство выполнено на чипах флеш-памяти QLC NAND и оснащено интерфейсом PCIe 5.0 х4. В свою очередь, модель PEB110 типоразмера E1.S имеет вместимость до 8 Тбайт: этот продукт базируется на чипах TLC NAND с подключением посредством PCIe 5.0 х4. Наконец, изделие PS1010 получило исполнение E3.S, чипы TLC NAND, интерфейс PCIe 5.0 х4 и ёмкость до 15 Тбайт.

OpenAI подписала с Samsung Electronics и SK hynix письмо о намерениях, предусматривающее поставку чипов памяти знаменитому ИИ-стартапу. Дополнительно сообщается о намерении построить ЦОД Stargate на юго-западе Южной Кореи при участии SK Group. Кроме того, SK Telecom создаёт независимую ИИ-компанию с инвестициями $3,5 млрд в течение пяти лет. В рамках сотрудничества южнокорейские компании планируют нарастить выпуск DRAM — до 900 тыс. пластин в месяц, которые понадобятся для передовых моделей OpenAI.

Samsung и её дочерние структуры Samsung SDS, Samsung C&T (Construction and Trading) и Samsung Heavy Industries помогут в реализации проекта Stargate Korea, в том числе со строительством и эксплуатацией ЦОД, облачными сервисами, консалтингом, а также внедрением и управлением сервисами для бизнесов, желающих интегрировать ИИ-модели OpenAI в свои внутренние системы.

Упоминаются даже судостроение и морское дело. В частности, сотрудничество предусматривает совместную разработку плавучих ЦОД. Подобные объекты имеют определённые преимущества перед традиционными, поскольку им не требуется свободных участков земли, лишних расходов на охлаждение и углеродные выбросы таких проектов обычно невелики. Компании также изучают возможности создания плавучих электростанций и центров управления.

Источник изображения: Mathew Schwartz/unsplash.com

Проект Stargate был запущен OpenAI в январе, при содействии Oracle, SoftBank, и MGX из Абу-Даби и уже заработали его первые ЦОД. Планируется инвестировать $500 млрд в цифровую инфраструктуру в следующие четыре года для обслуживания вычислительных потребностей OpenAI. На прошлой неделе OpenAI анонсировала строительство новых ЦОД Stargate в США, включая дата-центры в Техасе, Нью-Мексико и на Среднем Западе. Планируется реализация проектов Stargate и в других странах помимо Южной Кореи, например — в Великобритании и Норвегии.

Компания SK hynix объявила о том, что она первой среди участников отрасли завершила разработку памяти с высокой пропускной способностью HBM4 для ИИ-систем. В настоящее время готовится организация массового производства таких изделий. HBM4 — это шестое поколение памяти данного типа после оригинальных решений HBM, а также HBM2, HBM2E, HBM3 и HBM3E. Ожидается, что чипы HBM4 будут применяться в продуктах следующего поколения AMD, Broadcom, NVIDIA и др.

Стеки памяти HBM4 от SK hynix оснащены 2048-бит IO-интерфейсом: таким образом, разрядность интерфейса HBM удвоилась впервые с 2015 года. Заявленная скорость передачи данных превышает 10 Гбит/с, что на 25 % превосходит значение в 8 Гбит/с, определённое официальным стандартом JEDEC. Пропускная способность HBM4 увеличилась вдвое по сравнению с предыдущим поколением НВМ, тогда как энергоэффективность повысилась на 40 %.

Источник изображения: SK hynix

При изготовлении чипов HBM4 компания SK hynix будет применять 10-нм технологию пятого поколения (1bnm) и методику Advanced Mass Reflow Molded Underfill (MR-MUF). Последняя представляет собой способ объединения нескольких чипов памяти на одной подложке посредством спайки: сразу после этого пространство между слоями DRAM, базовым кристаллом и подложкой заполняется формовочным материалом для фиксации и защиты структуры. Технология Advanced MR-MUF позволяет выдерживать высоту HBM-стеков в пределах спецификации и улучшать теплоотвод энергоёмких модулей памяти.

SK hynix не раскрывает ни количество слоёв DRAM в своих изделиях HBM4, ни их ёмкость. Как отмечает ресурс Tom's Hardware, по всей видимости, речь идёт об 12-Hi объёмом 36 Гбайт, которые будут использоваться в ускорителях NVIDIA Rubin. По заявлениям SK hynix, внедрение HBM4 позволит увеличить производительность ИИ-ускорителей на 69 % по сравнению с нынешними решениями. Это поможет устранить узкие места в обработке информации в ИИ ЦОД.

Sandisk объявила о подписании Меморандума о взаимопонимании (МОВ) с SK hynix, предусматривающего совместную разработку спецификации высокоскоростной флеш-памяти (HBF). В рамках сотрудничества компании планируют стандартизировать спецификацию, определить технологические требования и изучить возможность создания технологической экосистемы для высокоскоростной флеш-памяти.

Технология HBF, анонсированная Sandisk в феврале этого года, обеспечит ускорители быстрым доступом к большим объёмам памяти NAND, что позволит ускорить обучение и инференс ИИ без длительных обращений к PCIe SSD. Как и HBM, чип HBF состоит из слоёв, в данном случае NAND, с TSV-каналами, соединяющими каждый слой с базовым интерпозером, что обеспечивает быстрый доступ к памяти — на порядки быстрее, чем в SSD.

При сопоставимой с HBM пропускной способности и аналогичной цене HBF обеспечит в 8–16 раз большую, чем у HBM, ёмкость на стек. Вместе с тем HBF имеет более высокую задержку, чем DRAM, что ограничивает её применение определёнными рабочими нагрузками. На этой неделе Sandisk представила прототип памяти HBF, созданный с использованием фирменных технологий BiCS NAND и CBA (CMOS directly Bonded to Array).

Источник изображения: Sandisk

Меморандум о взаимопонимании подразумевает, что SK hynix может производить и поставлять собственные модули памяти HBF. Как отметил ресурс Blocks & Files, это подтверждает тот факт, что Sandisk осознаёт необходимость наличия рынка памяти HBF с несколькими поставщиками. Такой подход позволит гарантировать клиентам, что они не будут привязаны к одному поставщику. Также это обеспечит конкуренцию, которая ускорит разработку HBF.

Sandisk планирует выпустить первые образцы памяти HBF во II половине 2026 года и ожидает, что образцы первых устройств с HBF для инференса появятся в продаже в начале 2027 года. Это могут быть как портативные устройства, так и ноутбуки, десктопы и серверы.